不止3纳米？中国芯片迎来破局关键，1nm也要水到渠成了!

　　目前全球最大的芯片晶圆代工厂台积电正在朝着3纳米进发，在2纳米上也已经有所研发。为了能够追赶台积电的步伐，实现对台积电的超越，三星这边也是在不断努力，决定要在在3纳米上使用最先进的GAA技术。

　　摩尔定律的物理极限

　　三星此次是在进行一场豪赌，赌赢了三星就能够超越台积电，但输了，三星想要超越台积电的梦想就会彻底破灭，伴随着芯片工艺的发展不断进步，已经到达了2纳米，芯片的发展规律已经无限接近摩尔定律的极限。

　　所谓的摩尔定律就是每隔18个月，集成电路可容纳晶体管数量翻一倍。也就是说芯片的性能可以继续进行一个提升，而且成电路也不会受到这样的限制，突破到3纳米，甚至是更加先进的1纳米。

　　但从物理角度上来看，摩尔定律的确是有极限的，一旦可容纳晶体管的数量达到一定程度后，那么芯片的制程就没有办法再进一步。像是台积电全以及三星等等这样的制造巨头都在探索三大米以下的工艺技术，这就意味着在短时间内摩尔定律是不会失效的。

　　1纳米要来了？

　　台积电和三星纷纷发力3纳米、2纳米，对国内芯片的发展来讲，其实算是一个利好的消息。伴随着芯片的发展无限接近摩尔定律，芯片先进工艺制程的研发周期也会越来越长，这将会给国内芯片带来一定的时间，去追赶三星以及台积电的步伐。

　　即便是没有办法真正做到与台积电和三星持平，也能够在一定程度上缩小国内芯片与国际顶尖标准之间的差距。如今，一则好消息传来，不只是3纳米，一项全新的集成电路使用方法，或许将会带来1纳米芯片。

　　根据摩尔定律来看的话，在有限的晶圆面积范围内，为了能够控制大小，制造商一般不会延长晶圆和芯片的长度以及面积，而是通过缩小纳米精度的方式将集成电路晶体管刻在芯片之上。在改变晶体管密度集成密度之后，就能够在小小的芯片之上光刻出上百亿根晶体管，以此来达到高性能，低功耗的标准。

　　但伴随着摩尔定律的即将到达极限晶体管数量将会再次翻倍，在到达一定数量的时候，那么芯片发展的制程将会进入到一种停滞不前的状态，但如果将水平结构的晶体管变为垂直，那么在一定程度上就能获得更大的工艺突破。

　　而在这一点之中，国内芯片迎来了突破。湖南大学教授刘源带领的团队完成了1纳米物理沟道长度的垂直场效应晶体管验证，采用了垂直结构的晶体管，实现了芯片的全面发展。可以说，此次刘渊教授打破了传统工业的束缚，很有可能会在短时间内实现对于1纳米技术的突破。

　　不过可惜的是，目前1纳米只是处于一种理论阶段，如果再经过后续的实际测试真的能成功的话，那么一纳米可能性是否会增加呢？其实关于这一点我们还不能够确认。要知道国产芯片起步来讲非常的晚，在7纳米的问题上没有DUV光刻机，我们都没有办法实现完成。

　　美好愿景

　　即便是台积电，在未来5~10年内都没有办法实现1纳米的量产，所以1纳米的突破在理论上是有一定的意义，可是在实际应用之中基本上不可能实现，究竟什么时候能够真正迎来1纳米，这一点我们不能够确认。但相信有了理论知识的支撑，后续的成功就会变得更加简单一点。

　　如果1纳米真的到来，那么全球半导体领域将会发生巨大的变化，而中国芯片也会因为1纳米在全球半导体行业之中站稳脚跟。目前而言，对于我们来讲时间是非常重要的。关于1纳米才其实在个人看来不妨一试，即便是花上十几年的时间去研发，如果真的能够成功的话，那么我们这十几年也算是没有白花，但如果不能成功，也算是对于更加先进制程芯片的一种探索，未来我们的芯片之路也不会再走弯路了。

　　那么你是如何看待这种1纳米工艺的呢？你觉得有可能会实现吗？